Оригинал (Original)
Автори: Александрова, С. П., Халова, Е. Й., Димитров, Д.
Заглавие: “Модификация на Si повърхност чрез N+ имплантация”
Ключови думи: имплантация, SiOxNy, тънки слоеве

Абстракт: Изследвани са тънки SiOxNy ,формирани слоеве в Si, модифициран чрез плазмено-имерсионна имплантация на азотни йони. Слоеве са синтезирани при последващо високо-температурно отгряване на Si подложки в O2 среда. Анализът на инфрачервените спектри показа, че получените наноразмерни SiOxNy слоеве са обогатени със силиций и са със сравнително ниско съдържание на N. Показателят на пречупване на слоевете се увеличава с йонната доза до 1.52, което показва повишаване на степента на нитридиране на слоевете. Резултати са в съсгласие с проведеното симулиране на разпределенията на йоните и дифузията им в Si подложки.

Библиография

    Издание

    Дни на физиката’2011, Сб. Популярни и научни доклади, том 3, стр. стр. 100-106, 2011, България, Издателство на ТУ-София, ISBN ISSN 1313-9576
    		Autors: Alexandrova, S. P., Halova, E. Y., Димитров, Д.
    Title: "Modification of Si surface by N+ implantation"
    Keywords: implantation, SiOxNy, thin layers

    Abstract: Thin SiOxNy formed layers in Si modified by plasma immersion implantation of nitrogen ions were studied. Layers were synthesized by subsequent high-temperature annealing of Si substrates in O2 medium. The analysis of the infrared spectra showed that the obtained nanosized SiOxNy layers are enriched with silicon and have a relatively low N content. The refractive index of the layers increases with the ionic dose to 1.52, which shows an increase in the degree of nitriding of the layers. The results are in agreement with the simulation of ion distributions and their diffusion in Si substrates.

    References

      Issue

      Days of Physics 2011, Collection of Popular and Scientific Papers, vol. 3, pp. 100-106, 2011, Bulgaria, Publishing house of TU-Sofia, ISBN ISSN 1313-9576

      Вид: публикация в национален форум, публикация в реферирано издание