Оригинал (Original)
Автори: Кирилов С. М., Младенов, В. М.
Заглавие: ИЗСЛЕДВАНЕ НА ВЕРИГА С ЕДИН МЕМРИСТОР И ИДЕАЛЕН ИЗТОЧНИК НА СИНУСОИДАЛНО НАПРЕЖЕНИЕ
Ключови думи: мемристор, памет, компютърна симулация

Абстракт: В настоящия материал е направена литературна справка и са дадени основните исторически сведения за мемристора, свързани с изобретяването му от Уилямс. Описани са устройството, принципа на действие и физическите процеси на титаново-диоксидния мемристор. Изведени са основните формули, с помощта на които е извършена компютърна симулация. Въз основа на полу- чените резултати в графичен вид са направени някои основни изводи за свойс- твата и приложението на мемристорните вериги в компютърните памети и в електрониката.

Библиография

    Издание

    Годишник на Технически университет-София, том 62, стр. стр. 377-386, 2012, България, София, ТУ София, ISSN 1311-0829

    Издателските права се държат от ТУ-София

    Пълен текст на публикацията

    		Autors: Кирилов С. М., Mladenov, V. M.
    Title: Analysis of a Circuit with One Memristor and Ideal Source of Sine Voltage
    Keywords: memristor, memory, computer simulation

    Abstract: The work is detailed investigation of the history and development of the memristor, which is invented from Williams. The construction, the work and basis of the physical processes of the titanium-dioxide memristor, are described. The main formulae are shown. On this base, the computer simulation is made. The final results are presented graphically and some conclusions with respect to the properties and application of the memristors circuits in computer memories and electronics are completed.

    References

      Issue

      PROCEEDINGS OF TECHNICAL UNIVERSITY OF SOFIA, vol. 62, pp. 377-386, 2012, Bulgaria, Sofia, TU-Sofia, ISSN 1311-0829

      Copyright ТУ-София

      Full text of the publication

      Вид: публикация в национален форум