Оригинал (Original)
Автори: Младенов, В. М.
Заглавие: УСЪВЪРШЕНСТВАНО МОДЕЛИРАНЕ НА МЕМРИСТОРИ
Ключови думи: мемристорен модел, модифицирана прозоречна функция, нелинейн

Абстракт: В дисертацията е направен преглед на основните публикации, свързани с мемристори, тяхното моделиране, и мемристорни схеми. Предмет на изследване са основно мемристори от титанов и хафниев диоксид. Разглеждат се основните класически модели на меристори - на Strukov-Williams, Joglekar, Biolek, Corinto-Ascoli и Lehtonen-Laiho. Основните проблеми в класическите модели са независимата нелинейност на прозоречната функция от напрежението и ниската им нелинейност. За подобряване на моделите се предлагат хиперболично намаляваща зависимост между степенния показател и напрежението и въвеждане на допълнителен синусоидален компонент за засилване на нелинейността. Разработена е усъвършенствана методология за моделиране на мемристори, използваща модифицирани прозоречни функции с настройваеми параметри, които се определят при сравняване на експерименталните и симулираните характеристики напрежение-ток. Създадени са PSpice библиотечни мемристорни модели, като са установени техните преимущества.

Библиография

    Издание

    ТУ-София, том 1, стр. стр. 1-300, 2019, България, София, ТУ-София
    		Autors: Mladenov, V. M.
    Title: ADVANCED MODELING OF MEMRISTORS
    Keywords: мемристорен модел, модифицирана прозоречна функция, нелинейно йонно отместване, усъвършенствано моделиране

    Abstract: The thesis reviews the main publications related to memristors, their modeling, and memristor circuits. The subject of research are mainly memristors made of titanium and hafnium dioxide. The main classical models of memristors - Strukov-Williams, Joglekar, Biolek, Corinto-Ascoli and Lehtonen-Laiho - are considered. The main problems in the classical models are the independent nonlinearity of the window function from the voltage and their low nonlinearity. To improve the models, a hyperbolically decreasing dependence between the power index and the voltage and the introduction of an additional sinusoidal component to enhance the nonlinearity are proposed. An advanced methodology for modeling memristors has been developed, using modified window functions with adjustable parameters, which are determined when comparing the experimental and simulated voltage-current characteristics. PSpice library memristor models have been developed and their advantages are established.

    References

      Issue

      Technical University of Sofia, vol. 1, pp. 1-300, 2019, Bulgaria, Sofia, Technical University of Sofia

      Вид: дисертация